2011年，中微第二代電介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品Primo AD-RIE刻蝕設(shè)備研制成功，可用于45nm到14nm后段制程以及10nm前段應(yīng)用的開發(fā)。同時，中微通過建立全球化的采購體系，與供應(yīng)商密切合作，制造出模塊化、易維護、具有成本競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品；其通過科學(xué)的方法管理庫存，有效地降低了公司的運營成本。2013年，CCP刻蝕設(shè)備產(chǎn)品Primo SSC AD-RIE刻蝕設(shè)備研制成功，可用于40-7nm工藝。三代刻蝕設(shè)備，不斷迭代，產(chǎn)品線覆蓋了多個制程的微觀器件的眾多刻蝕應(yīng)用干式恒溫加熱器。半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的波動要大于半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的波動，更大于 GDP 的波動。僅靠單一的設(shè)備產(chǎn)品來發(fā)展的企業(yè)無法抵御市場波動帶來的不確定性。為此，中微公司的半導(dǎo)體設(shè)備實現(xiàn)了多產(chǎn)品覆蓋，2010年，首臺深硅刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制成功；2012年首臺MOCVD設(shè)備產(chǎn)品研制成功，產(chǎn)品覆蓋集成電路、MEMS、LED 等不同的下游半導(dǎo)體應(yīng)用市場。在中微的主要產(chǎn)品線刻蝕設(shè)備方面，國際巨頭泛林科技、東京電子和應(yīng)用材料均實現(xiàn)了硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕、金屬刻蝕的全覆蓋，他們占據(jù)了全球干法刻蝕機市場的90%以上份額。即便如此干式恒溫加熱器，中微還是在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了突圍，將產(chǎn)品打入臺積電、聯(lián)電、中芯國際等芯片生產(chǎn)商的40多條生產(chǎn)線，并實現(xiàn)了量產(chǎn)。